概述

华力与比利时微电子研发中心（IMEC）签订了65纳米等CMOS芯片制造工艺联合开发与转移合作协议，以国际合作成果为基础，建立持续的技术开发和创新能力，不断提供客户多样的工艺，技术节点覆盖65/55纳米、40纳米和28/22纳米工艺。

22纳米

22nm ULP & 22nm ULL

华力22纳米工艺基于28纳米高效能精简型增强版工艺（28nm HKC+）开发。提供22纳米超低功耗（22nm ULP）和22纳米超低漏电（22nm ULL）两种工艺技术平台。与28nm HKC+相比，22nm ULP工艺面积缩小10%，速度提升10%, 功耗降低20%；22nm ULL工艺可以进一步降低漏电并再降低约10%功耗。22纳米工艺技术可广泛应用于物联网、图像处理、可穿戴设备、移动通信、射频芯片、便携电子设备以及智能电视等领域。

工艺器件选择：

28纳米

华力与国际知名设计公司合作开发28纳米逻辑工艺技术，依据不同产品需求，基于业界主流的多晶硅（PolySiON）工艺和后栅极的高介电常数金属栅极（Gate-last HKMG）工艺，推出28纳米低功耗（28nm LP）、28纳米高效能精简型增强版（28nm HKC+）和28纳米NP split gate工艺（28nm HKL+）三种工艺平台供客户选择。

28nm LP

28纳米低功耗（28nm LP）工艺技术提供1.05V/1.8V(2.5V)标准工作电压。相对前代40纳米工艺，相同性能下面积缩小50%，同样速度下功耗减少30%。并且针对超低功耗需求做特定优化，成功开发特制单元库IP，进一步大幅降低漏电。提供包括射频在内的配套设计服务体系，应用于手机、平板电脑、智能电视、机顶盒、网络集成、3G/4G蜂窝基带、无线连接装置、物联网及其他低功耗应用，服务于全球芯片设计公司。

28nm HKC+ & 28nm HKL+

华力持续提升工艺技术水平，采用后栅极的高介电常数金属栅极（gate-last HKMG）工艺，开发28纳米高效能精简型工艺技术（28nm HKC），核心电压为0.9V，输入输出电压支持1.8V和2.5V。进一步优化的28纳米高效能精简型增强版工艺技术（28nm HKC+）与28nm HKC相比，速度进一步提升15%，漏电降低30%。28nm HKC+目标产品包括智能手机、平板电脑、穿戴装置、物联网集成、射频芯片、消费性产品的中央处理器及各类系统单芯片应用。28nm HKL+则提供更优于28nm HKC+的高性能工艺，采用N/P split gate工艺，有其工艺的特定优势。

工艺器件选择：

40纳米

华力的40纳米低功耗工艺采用业界标准1.1V核心器件电压，输入输出器件电压为2.5V，并支持低载1.8V、超载3.3V，满足不同应用产品的设计需求。40纳米低功耗工艺广泛应用于机顶盒、数字电视、无线互联、物联网、穿戴式装置及便携电子设备等产品市场。

工艺器件选择：

55纳米

55纳米低功耗工艺采用业界标准的1.2V核心器件电压，输入输出电压支持1.8V、2.5V或3.3V。

工艺器件选择：