概述
在逻辑工艺的基础上，华力逐步建立起丰富多样的特色工艺平台，包括图像传感器、射频、高压、嵌入式非易失性存储器工艺（eNVM）、超低功耗以及独立式非易失性闪存工艺（NOR Flash）等，提供客户更广泛的工艺选择。
图像传感器工艺
华力打造全系列像素图像传感器工艺平台，像素尺寸覆盖10微米到小于0.9微米范围，产品像素分辨率覆盖100万到5000万像素范围，产品应用于智能手机、高端相机、安防监控、车用电子、工控和医疗等。
射频工艺
华力提供与逻辑工艺兼容的射频工艺，技术节点覆盖55纳米、40纳米到28纳米全平台，具有金属氧化物金属电容器（MOM）、高Q电感以及噪声隔离深N阱结构等特色，可以满足无线射频类芯片产品的需要，可广泛应用于物联网、穿戴式设备、居家安全、无线智能仪表及工业控制等产品市场。
工艺器件选择和工艺特点：
高压工艺
华力为中小尺寸屏幕驱动芯片提供了55纳米高压工艺和28纳米高压工艺两种平台解决方案。
55纳米高压工艺：高压采用32V器件，为AMOLED屏提供8V中压器件、为LCD屏提供6V中压器件。满足业界主流的高清分辨率的独立显示驱动芯片、触控和显示驱动集成芯片（TDDI）需求。
28纳米高压工艺：中压采用8V器件，高压采用32V或20V双平台工艺：32V平台提供55/40nm HV到28nm HV快速迁移方案，20V平台进一步优化显示性能和降低功耗。更好的满足智能手机，可穿戴设备，AR/VR等对显示性能和功耗的需求。
超低功耗工艺
华力的55纳米超低功耗工艺基于55纳米低功耗工艺平台开发，核心工作电压降至0.9V，功耗降低约30%，在标准Vt下，55纳米超低功耗的器件性能与55纳米低功耗相同。华力将结合射频工艺以及嵌入式闪存工艺，提供客户完整的物联网芯片方案。该工艺已经广泛的应用于物联定位，NB-IoT等新兴领域。
华力将建立55纳米至22纳米全系列的超低功耗工艺平台，22nm ULP和22nm ULL已进入初步量产阶段。
嵌入式非易失性存储器工艺
华力与业界闪存技术合作方Cypress共同开发55纳米SONOS嵌入式非易失性存储器工艺，为客户提供高可靠性、低功耗和低成本优势于一身的差异化解决方案。相较于其他嵌入式闪存技术需要额外加入9~12张光罩，SONOS技术只需要在原有CMOS工艺上加入4张光罩，具有更好的成本优势以及最佳的可微缩性，具备可持续微缩至28纳米的能力。40纳米嵌入式非易失性存储器工艺已投入研发，并计划开发28纳米嵌入式非易失性存储器工艺。
在55纳米技术节点，华力提供2.5V和5V两种版本的嵌入式闪存工艺平台，2.5V版本主要针对通用微控制器和物联网产品，5V版本主要针对智能卡、金融卡、触控芯片和其他微控制器产品。
55纳米嵌入式非易失性存储器工艺复用55纳米低功耗工艺设计IP，并可提供客制化Flash Macro IP 设计，以及提供Flash IP测试及可靠性全流程服务。
Flash Macro典型参数：
独立式非易失性闪存工艺
华力与国际知名设计公司合作开发65纳米NOR Flash工艺平台，2016年已通过SPI NOR Flash产品验证，并进入大规模量产。65纳米NOR Flash工艺已通过IATF16949认证。在65纳米 NOR Flash的基础上，华力持续微缩工艺尺寸，55纳米和50纳米NOR Flash工艺技术相继量产，广泛应用于智能手机、机顶盒、笔记本、无线连接、数字电视、打印机、真无线蓝牙耳机（TWS）和OLED显示等消费电子产品，以及先进辅助驾驶系统（ADAS）、娱乐与导航系统等汽车电子领域。
沪公网安备 31011502016844号
